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基于台积电3nm制程:谷歌Tensor G5进入流片阶段

近日,有消息透露,谷歌计划用于明年旗舰产品的Tensor G5芯片基于台积电3nm制程工艺,目前已经进入流片阶段。

据悉,Tensor G5代号Laguna Beach(拉古纳海滩),将通过台积电InFo_PoP晶圆级扇出封装技术实现SoC和DRAM的堆叠,支持16GB以上内存。

此外,Tensor G5的全自研,将意味着谷歌可完成对Pixel设备从芯片到设备整机再到操作系统乃至应用程序的全方位掌控,有助于实现更深度的软硬件整合。

对于谷歌来说,Tensor G5如果能够顺利流片,将意味着它的首款全自研手机SoC距离成功近了一大步。

 

延伸阅读:

  • 消息称 谷歌Tensor G4芯片采用三星4nm制程工艺和FOWLP封装工艺

 

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来源: 编辑:cxr4186

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